专利检索 失效专利 专利法规 专利网站 科技光盘 购买方式
 | 网站首页 | 精细化工 | 建筑建材 | 能源燃料 | 金属矿产 | 电子电器 | 日用化工 | 广告礼品 | 生化医药 | 食品饮料 | 农副加工 | 国外专利 | 种植养殖 | 添加剂类 | 办公家具 | 五金机械 | 肥料农药 | 环保再生 | 服装饰品 | 车辆运输 | 综合类 | 最新类 | 留言 | IPC类 | 
今天是:     购买本公司技术的客户,请登陆济宁投资信息网 http://www.jnxhcy.com  查询快递单号码并办理会员注册!!  [jnxhcy]        
您现在的位置: 中国专利资源网 >> 金属矿产 >> D14、金属矿产08 >> 正文 用户登录 新用户注册
      ★★★★★【字体:
D1426、氮化镓生产技术配方制备工艺专利大全
作者:佚名 来源:本站原创 点击:11196 更新:2013-7-4 21:03:35

以下所有专利技术为一套光盘,专利技术,每项收费50元。每张光盘包括每一系列全部专利技术资料,每项专利技术资料均为正式专利全文说明书,含技术配方、加工工艺、质量标准等;同时包括专利发明人、权利要求书、说明书和附图等。该套资料全面又系统,让您更全面、更客观了解多种技术路线、关键技术、市场状况、发展趋势、下游应用情况等。为您的科研教学、项目决策、企业创新、个人创业提供经济有效的参考资料,大大降低决策风险。本套资料为电子文档资料,查看、复制、打印、保存方便,保密性好,给您更全面的科技资讯服务!查看更详细资料和更多信息请登陆:济宁投资信息网http://www.jnxhcy.com ; 中国专利资源网http://www.mypat.cn/ 中国致富商机网http://www.zhifuba.com/ 在线咨询QQ386282516 联系电话0537-2308056手机:13563764089

1   02142450.0    单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
2   02141658.3    氮化镓半导体激光器
3   02145712.3    单晶氮化镓基板,单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
4   02113084.1    横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
5   02145468.X    无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
6   02112311.X    射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7   02112412.4    异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8   03113769.5    氮化镓晶体的制造方法
9   01810897.0    氮化镓层的制备方法
10   03104233.3    氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
11   01812915.3    具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
12   03118955.5    采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
13   03110256.5    氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
14   03110199.2    以氮化镓为基底的半导体发光装置
15   00818903.X    在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
16   02801951.2    氮化镓的块状单结晶的制造方法
17   00817182.3    氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
18   94106935.4    具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-V族化合物半导体器件及其制造方法
19   94194481.6    碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
20   97118284.1    氮化镓序列的复合半导体发光器件
21   97117796.1    氮化镓晶体的制造方法
22   97122567.2    有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
23   96193819.6    带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
24   97129713.4    氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
25   98106378.0    氮化镓结晶的制造方法
26   98106206.7    氮化镓晶体的制备方法
27   99106909.9    氮化镓单晶衬底及其制造方法
28   98111554.3    光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
29   98118311.5    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
30   98108246.7    具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
31   98811437.2    氮化镓外延层的制造方法
32   99119067.X    一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
33   99119719.4    一种氮化镓单晶的热液生长方法
34   99119773.9    一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
35   99803400.2    通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
36   00129633.7    一种制备氮化镓基 LED的新方法
37   00131158.1    氮化镓薄膜制备技术及专用装置
38   00106194.1    一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
39   00106264.6    氮化镓化合物半导体制造方法
40   01110203.9    氮化镓陶瓷体的制备方法
41   99807244.3    利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
42   00126376.5    基于氮化镓的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
43   99813628.X    用横向生长制备氮化镓层
44   00131322.3    氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
45   01137373.3    一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
46   01100889.X    高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
47   02102460.X    生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
48   02117329.X    高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
49   02105907.1    往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
50   02105608.0    氮化镓荧光体及其制造方法
51   01116770.X    氮化镓单晶膜的制造方法
52   02113085.X    激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
53   200610112889.8    氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
54   200610127867.9    一种氮化镓基场效应管及其制作方法
55   200610113238.0    一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
56   200610127920.5    宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
57   200680007694.5    用于生长平坦半极性氮化镓的技术
58   200610096225.7    自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
59   200680008040.4    金刚石上的氮化镓发光装置
60   200610140756.1    氮化镓表面低损伤蚀刻
61   200610140757.6    氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
62   200610114190.5    P型氮化镓电极的制备方法
63   200610097597.1    具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
64   200710009956.8    一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
65   200610144305.5    提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
66   200810055710.9    氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
67   200680021424.X    碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
68   200710114784.0    一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
69   200680024176.4    氮化镓基化合物半导体发光器件
70   200710172321.X    钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
71   200710176647.X    一种生长室和氮化镓体材料生长方法
72   200810018941.2    形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
73   200710173110.8    采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
74   200810033719.X    一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
75   200680027937.1    膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
76   200680028774.9    氮化镓基化合物半导体发光器件
77   200710195806.0    用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
78   200810009979.3    氮化镓层的制备方法
79   200710063881.1    在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
80   200810070780.1    一种氮化镓基外延膜的制备方法
81   200810070781.6    镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
82   200710079804.5    制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
83   200680009593.1    氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
84   200710133982.1    一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
85   200710138204.1    生长氮化镓晶体的方法
86   200410006179.8    硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
87   03138736.5    一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
88   03147948.0    氮化镓系异质结构光二极体
89   03147951.0    氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
90   02821830.2    烧结的多晶氮化镓
91   03139103.6    一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
92   200410053351.5    氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
93   200410066479.5    一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
94   200410053350.0    改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
95   03151054.X    氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
96   200410068332.X    氮化镓外延层的制造方法
97   200410091050.1    准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
98   200410065181.2    提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
99   200410086564.8    导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
100   200410088165.5    氮化镓基半导体器件及其制造方法
101   01802460.2    I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
102   200410089448.1    一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
103   200410031246.1    薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
104   200310117000.1    一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
105   200310119745.1    大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
106   200310120176.2    利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
107   200310120544.3    倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
108   200410065676.5    无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
109   200510000296.8    新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
110   200510051675.X    具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
111   200410000201.8    一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
112   200410000889.X    氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
113   03812891.8    氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
114   200410006381.0    氮化镓系发光组件及其制造方法
115   200410006382.5    氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
116   03813924.3    富镓氮化镓薄膜的制造方法
117   200410008515.2    氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
118   03816873.1    氮化镓类化合物半导体装置
119   200410098373.3    氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
120   200510025439.0    紫外双波段氮化镓探测器
121   200510025438.6    氮化镓紫外探测器
122   200410031469.8    氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
123   03820771.0    通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
124   200410033586.8    氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
125   200410033587.2    氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
126   200510128772.4    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
127   200510134125.4    氮化镓半导体装置的封装
128   200380100487.0    基于氮化镓的装置和制造方法
129   200510026720.6    氮化镓基紫外-红外双色集成探测器
130   200480000484.4    氮化镓系发光器件
131   200410046039.3    生长高阻氮化镓外延膜的方法
132   200410046040.6    生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
133   200410046195.X    氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
134   200410048228.4    氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
135   200410062336.7    在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
136   200410071058.1    铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
137   200410058033.8    适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
138   200410058034.2    适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
139   200410058035.7    适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
140   200410058036.1    适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
141   200410058037.6    适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
142   200510028366.0    氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
143   200510021536.2    一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
144   200510036162.1    氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
145   200510028370.7    氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
146   200410074363.6    PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
147   200410073928.9    氮化镓系发光二极管结构
148   200410073931.0    具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
149   200410073932.5    氮化镓系发光二极管的制作方法
150   200380109711.2    氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
151   200410078346.X    基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
152   200410078343.6    具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
153   200410078345.5    氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
154   200410078347.4    氮化镓发光二极管结构
155   200410078348.9    氮化镓二极管装置的缓冲层结构
156   200410080143.4    氮化镓系发光二极管
157   200410081010.9    背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
158   200480006280.1    氮化镓单晶基板及其制造方法
159   200510108383.5    三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
160   200510029388.9    氮化镓基高单色性光源阵列
161   200410088729.5    利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
162   200510115278.4    一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
163   200510030062.8    氮化镓基红外-可见波长转换探测器
164   200510110630.5    一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
165   200510110629.2    氮化镓基光子晶体激光二极管
166   200410009858.0    在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
167   200410095294.7    倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
168   200410097276.2    一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
169   200410009922.5    提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
170   200510111361.4    一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
171   200510110631.X    氮化镓基发光二极管指示笔
172   200410009990.1    双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
173   200410077337.9    改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
174   200410098518.X    高亮度氮化镓类发光二极体结构
175   200510048197.7    一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
176   200510120085.8    单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
177   200480013908.0    通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
178   200510095245.8    改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
179   200510113997.2    导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
180   200410101891.6    改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
181   200480015116.7    制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
182   200510105377.4    用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
183   200410101871.9    应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
184   200510095658.6    一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
185   200510048111.0    一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
186   200510064401.4    氮化镓系发光二极管
187   200610006436.7    晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
188   200610023732.8    以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
189   200610023694.6    一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
190   200610033365.X    具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
191   200610024155.4    一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
192   200610024615.3    一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
193   200510128773.9    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
194   200610067517.8    非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
195   200610067523.3    导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
196   200610035321.0    一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
197   200610067141.0    非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
198   200610067142.5    导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
199   200610078085.0    垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
200   200510124621.1    氮化镓基化合物半导体器件
201   200510072427.3    氮化镓基蓝光发光二极管
202   200510040096.5    氮化镓薄膜材料的制备方法
203   200610074303.3    氮化镓类半导体元件及其制造方法
204   200610087785.6    氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
205   200610088655.4    氮化镓半导体器件
206   200510011812.7    桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
207   200510011813.1    一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
208   200510071592.7    氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
209   200610089338.4    新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
210   200610092944.1    树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
211   200610028490.1    氮化镓基圆盘式单色光源列阵
212   200480031798.0    氮化镓半导体衬底及其制造方法
213   200610078387.8    氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
214   200510011898.3    减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
215   200610100314.4    具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
216   200380110945.9    经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
217   200610093660.4    往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
218   200610100207.1    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
219   200610086059.2    一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
220   200480037136.4    用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
221   200610105961.4    氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
222   200610099595.6    含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
223   200580003365.9    基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
224   200580004358.0    基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
225   200580004938.X    基于氮化镓的化合物半导体发光器件
226   200610053869.8    一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
227   200610096645.5    铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
228   200580010050.7    氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
229   200610139775.2    氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
230   200580011658.1    氮化镓基半导体器件
231   200610016268.X    一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
232   200610016271.1    一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
233   200580014398.3    形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
234   200510118017.8    背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
235   200610125202.4    一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
236   200510086899.4    在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
237   200680000348.4    垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
238   200610144850.4    垂直基于氮化镓的发光二极管
239   200580020771.6    反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
240   200680000265.5    氮化镓晶圆
241   200610110668.7    自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
242   200580021454.6    氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
243   200610144316.3    一种制备氮化镓单晶衬底的方法
244   200610167195.4    氮化镓基发光二极管及其制造方法
245   200610166563.3    一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
246   200610011228.6    碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
247   200710019375.2    氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
248   200710036455.9    采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
249   200610001595.8    氮化镓系半导体的成长方法
250   200610167605.5    降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
251   200610022726.0    一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
252   200710037618.5    一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
253   200710002371.3    氮化镓晶体衬底及其制造方法
254   200710088106.1    氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
255   200610039392.8    制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
256   200610067460.1    不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
257   200610105562.8    单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
258   200580040055.4    用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法
259   200710013820.4    超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
260   200710051864.6    一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
261   200580041110.1    氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
262   200710110258.7    生长氮化镓晶体的方法
263   200680001573.X    氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
264   200980127776.7    利用氢化物气相外延(HVPE)生长平面非极性的{1-100}m面和半极性的{11-22}氮化镓
265   201010565046.X    一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法
266   201010503291.8    用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极及其制备方法
267   201110038044.X    氮化镓半导体元件和发光二极管
268   201110086887.7    垂直基于氮化镓的发光二极管
269   200980139859.8    氮化镓系半导体发光元件、制作氮化镓系半导体发光元件的方法、氮化镓系发光二极管、外延晶片及制作氮化镓系......
270   201110090742.4    一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线
271   201110088004.6    垂直结构氮化镓基LED的制作方法
272   201110115383.3    调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
273   201110115323.1    提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管
274   201110087998.X    氮化镓基LED用复合金属基板
275   201110037228.4    氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法
276   201010128437.5    一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
277   201110091772.7    一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法
278   201110134149.5    自支撑氮化镓衬底的制作方法
279   201110152869.4    氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
280   201010138875.X    一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
281   201110136088.6    一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
282   201110136242.X    一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
283   201110152904.2    氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
284   201110156443.6    一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法
285   201110157236.2    一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法
286   201110165056.9    一种氮化镓基垂直结构LED外延结构及制造方法
287   201110147591.1    应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
288   201110163187.3    氮化镓系发光二极管器件
289   201110156787.7    去除多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒中氮化镁的方法
290   201110153779.7    氮化镓单晶的制备方法
291   201110171022.0    氮化镓衬底材料的制造方法
292   201110136265.0    一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
293   201110171023.5    氮化镓衬底材料制造方法
294   201110258692.6    一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法
295   201110254377.6    一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管
296   201110196400.0    一种垂直结构电极氮化镓发光芯片及其制造方法
297   201110156819.3    两步氮化法制备多孔氮化铝微粒或多孔氮化镓微粒的方法
298   201110208967.5    氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
299   201010235058.6    改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
300   201010233173.X    复合式基板、氮化镓基元件及氮化镓基元件的制造方法
301   201010272989.3    氮化镓发光二极管及增加氮化镓发光二极管取光的方法
302   201110169480.0    宽带氮化镓基微波大功率单片集成功率放大器
303   201110259899.5    氮化镓基半导体器件及其制造方法
304   201110271026.6    氮化镓基半导体器件及其制造方法
305   201110332793.3    低位错氮化镓的生长方法
306   201080019145.6    制作晶片产品的方法及制作氮化镓基半导体光元件的方法
307   201110301444.5    氮化镓基半导体器件及其制造方法
308   201110360361.3    一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
309   201110343101.5    氮化镓基发光二极管及其制作方法
310   201110401468.8    氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
311   201110275496.X    氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法以及包括其的LED显示装置
312   201110418685.8    一种半导体器件及其氮化镓外延层制作方法
313   201110336903.3    去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法
314   201210020660.7    用于氮化镓增强型晶体管的低栅极-泄漏结构和方法
315   201210093564.5    制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
316   201210101763.6    纳米氮化镓发光二极管的制作方法
317   201210122375.6    一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管
318   201210122392.X    渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管
319   201210093368.8    银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法
320   201110043667.6    用于大规模氨热制造氮化镓晶棒的装置和方法
321   201110043595.5    一种多孔氮化镓衬底的处理方法及氮化镓膜的生长方法
322   201110043619.7    一种氮化镓自支撑衬底的制备方法
323   201210290019.5    一种氮化镓系高压发光二极管及其制作方法
324   201210100853.3    一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法
325   201080026102.0    氮化镓系化合物半导体发光二极管
326   201180014938.3    常关型氮化镓基半导体器件
327   201210324418.9    一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
328   201210306671.1    一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法
329   201210319891.8    氮化镓基液体传感器及其制备方法
330   201210341509.3    一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
331   201210324971.2    一种氮化镓基高亮度发光二极管的制作方法
332   201210353409.2    具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管
333   201210325765.3    一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
334   201210348006.9    双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
335   201210293710.9    一种氮化镓系半导体发光器件外延片的制作方法
336   201210293740.X    一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
337   201210335768.5    氮化镓基发光二极管外延生长方法
338   201210300599.1    氮化镓发光二极管的快速热退火
339   201210436128.3    制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法
340   201210505932.2    氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法
341   201210506365.2    氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构
342   201210568649.4    一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
343   201210434769.5    具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管
344   201210437522.9    氮化镓基发光二极管的制造方法
345   201210550029.8    氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法
346   201280002074.8    氮化镓类化合物半导体发光元件和具有该发光元件的光源
347   201110398618.4    蓝光LED氮化镓外延过程尾气回收
348   201310083667.8    一种使用悬浮衬套管氨热法生长氮化镓体单晶的装置和方法
349   201210472736.X    硅衬底上氮化镓生长方法
350   201310061427.8    具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法
351   201310107937.4    一种电子型氮化镓n-GaN薄膜及其制备方法
352   201310109264.6    一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜及其制备方法
353   201310078174.5    生长氮化镓结晶组合物的方法
354   201310049018.6    一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
355   201310035913.2    一种具有复合势垒的氮化镓基发光二极管
356   201280003354.0    氮化镓类半导体发光元件、光源和凹凸构造形成方法
357   201310064059.2    一种氮化镓基激光二极管
358   201310066818.9    具有共掺杂薄膜的氮化镓基激光二极管
359   201310088324.0    植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法
360   201310118493.4    一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法
361   201310175534.3    基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法
362   201180060112.0    具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造
363   201310175267.X    一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
364   201180061618.3    氮化镓烧结体或氮化镓成形物以及它们的制造方法
365   02292589.9    氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
366   02292590.2    氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
367   02292591.0    氮化镓基LED的发光装置
368   200720096313.7    功率型氮化镓基发光二极管芯片
369   200320128260.4    一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
370   03257248.4    使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
371   200420118205.1    氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
372   200520107535.5    桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
373   200520107536.X    一种氮化镓基大管芯发光二极管
374   200420089267.4    具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构
375   200420036443.8    氮化镓系发光二极管结构
376   200420092593.0    氮化镓系发光二极管的构造
377   200420115815.6    氮化镓系发光二极管
378   200520062002.X    氮化镓基发光二极管芯片
379   201020547264.6    一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线
380   201020574260.7    陶瓷衬底的氮化镓基芯片
381   201220096939.9    复合式氮化镓基半导体生长衬底
382   201220418921.6    一种氮化镓发光二极管结构
383   201220452807.5    一种氮化镓发光二极管结构
384   201320030306.2    基于超级结的氮化镓HEMT器件
385   201220587833.9    MOCVD生长氮化镓晶片的尾气处理、回收和循环使用装置
386   201320181100.X    一种氮化镓基声表面波器件
387   03145867.X    氮化镓系化合物半导体发光器件
388   03145868.8    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
389   03145869.6    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
390   03145870.X    氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
391   02138461.4    亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
392   02145890.1    氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
393   03157390.8    一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
394   02146269.0    氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
395   200310119925.X    局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
396   02149351.0    制备氮化镓单晶薄膜的方法
397   200310116177.X    制造氮化镓半导体发光器件的方法
398   02808020.3    氮化镓系列化合物半导体元件
399   03100249.8    氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
400   02159324.8    氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
401   03110867.9    溶胶-凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
402   03119842.2    小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
403   03135064.X    金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
404   03120597.6    氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
405   03106434.5    氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
406   03800646.4    用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
407   02814526.7    基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
408   02135164.3    一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
409   03121877.6    氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
410   200310109249.8    光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
411   200310109268.0    一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
412   03158766.6    氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
413   200310121092.0    激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
414   200310121093.5    激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
415   02817912.9    具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
416   02817829.7    在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
417   200710043618.6    用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
418   200710139296.5    利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
419   200610088934.0    一种照明用氮化镓基发光二极管器件
420   200610089071.9    一种照明用氮化镓基发光二极管器件
421   200610089074.2    一种照明用氮化镓基发光二极管器件
422   200610089075.7    一种照明用氮化镓基发光二极管器件
423   200710121708.2    一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
424   200710146312.3    氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
425   200710142217.6    具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
426   200610089289.4    低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
427   200710105256.9    氮化镓基发光二极管及其制造方法
428   200710151262.8    氮化镓系发光二极管及其制造方法
429   200710097453.0    垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
430   200610112547.6    氮化镓基蓝光激光器的制作方法
431   200680032214.0    氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
432   200680032456.X    氮化镓基化合物半导体发光器件
433   200710064383.9    氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
434   200710064384.3    制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
435   200710064385.8    氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法
436   200810106851.9    抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
437   200810095054.5    氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
438   200710065319.2    一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
439   200810018838.8    氮化镓薄膜外延生长结构及方法
440   200810150273.9    适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
441   200680042644.0    氮化镓基化合物半导体发光器件
442   200810092858.X    氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法
443   200710017897.9    一种增强型氮化镓HEMT器件结构
444   200810047953.8    氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
445   200810040201.9    HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
446   200680045152.7    氮化镓半导体发光元件
447   200810029353.9    一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
448   200680041266.4    用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
449   200680046658.X    氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
450   200680046768.6    氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
451   200680046919.8    氮化镓系化合物半导体发光元件
452   200710123092.2    一种p型氮化镓的表面处理方法
453   200710093912.8    氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺
454   200710093915.1    提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
455   200810126483.4    氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
456   200710130162.7    以CVD及HVPE成长氮化镓的方法
457   200810131104.0    氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
458   200710139135.6    制作氮化镓系基板的方法
459   200810198615.4    一种氮化镓外延层转移方法
460   200810028855.X    一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统
461   200810212053.4    氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
462   200810028854.5    在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
463   200710168024.8    具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件
464   200780004671.3    基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法
465   200810046279.1    利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法
466   200710121505.3    一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
467   200810211828.6    制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法
468   200810158073.8    一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
469   200810173810.1    单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法
470   200710122478.1    氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
471   200810155399.5    一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法
472   200780010333.0    氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯
473   200710175969.2    一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
474   200780014544.1    氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
475   200810235277.7    一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法
476   200810236950.9    在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法
477   200780015378.7    制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片
478   200710177273.3    一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
479   200780016381.0    生长大表面积氮化镓晶体
480   200810240270.4    氮化镓基场效应管及其制备方法
481   200710188788.3    运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法
482   200810184082.4    垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
483   200780018239.X    氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯
484   200710179353.2    一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
485   200810185167.4    采用自剥离用于生产氮化镓单晶衬底的方法
486   200780021504.X    在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法
487   200780021924.8    氮化镓系化合物半导体发光元件
488   200710186125.8    硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法
489   200710186133.2    Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法
490   200710186131.3    氮化镓外延片的快速检测方法
491   200710304457.1    镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法
492   200910096412.9    提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
493   200910046376.5    一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
494   200810237809.0    氮化镓基发光二极管
495   200810237844.2    一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法
496   200910004049.3    氮化镓晶圆
497   200910126255.1    一种氮化镓基发光二极管外延衬底及其制备方法
498   200810057890.4    在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
499   200910082827.0    一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法
500   200910031266.1    一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法
501   200810103523.3    一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法
502   200810092628.3    氮化镓半导体元件和发光二极管
503   200780039788.5    氮化镓晶体以及其制备方法
504   200780047412.9    氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法
505   200780049761.4    氮化镓晶体和晶片
506   200910062769.5    一种氮化镓基LED的量子阱结构及生长方法
507   200780049549.8    生长氮化镓结晶组合物的方法
508   200810111589.7    氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
509   200880004951.9    氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管
510   200810116416.4    氮化镓基多波段探测器及其制作方法
511   200910115901.4    一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法
512   200880007693.X    结晶氮化镓以及相关的晶片和器件
513   200810134896.7    表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法
514   200910062768.0    一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
515   200880010360.2    基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法
516   200910018293.5    一种抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
517   200910100977.X    提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
518   200910307846.9    已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法
519   200910170653.3    氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件
520   200910018378.3    一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法
521   200910180529.5    一种氮化镓晶体抛光的方法
522   200810222720.7    一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法
523   200910178703.2    氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法
524   200880024413.6    用于氮化镓的外延生长的基片
525   200880021916.8    电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、Ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
526   201010200851.2    侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法
527   201010200860.1    侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
528   200910084158.0    利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法
529   201010199274.X    一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法
530   201010128893.X    改良正向传导的氮化镓半导体器件
531   200910085926.4    基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器
532   201010237851.X    一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法
533   201010181048.9    高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
534   201010181049.3    抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
535   200880125065.1    生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法
536   200910178209.6    氮化镓基化合物半导体发光器件
537   200910102321.1    一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法
538   200810224104.5    氮化镓生长方法
539   200910194043.7    一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法
540   200810226571.1    一种制作氮化镓基垂直结构LED金属衬底的方法
541   200810226288.9    制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
542   200910264672.2    一种新型结构的大功率氮化镓基LED
543   200910211516.X    氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构
544   201010017259.9    一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管
545   200810229846.7    一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
546   200910110635.6    一种提高氮化镓薄膜质量的外延方法
547   200910076039.0    氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
548   201010034282.9    氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法
549   201010121696.5    氮化镓晶体衬底
550   201010131563.6    引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法
551   201010131539.2    具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺
552   201010152286.7    用于氢化物或氯化物气相外延制备氮化镓的尾气过滤器
553   201010145087.3    一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
554   201010118619.4    一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法
555   200910077383.1    氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法
556   200910118401.6    碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
557   201010123875.2    氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片
558   201010153212.5    一种氮化镓基LED外延用蓝宝石图形化衬底制备方法
559   201010157611.9    氮化镓系发光二极管
560   201010167517.1    氧化锌叠层电极氮化镓基大功率发光二极管及其制备方法
561   201010128896.3    氮化镓异质结肖特基二极管
562   201010170915.9    具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法
563   201010111379.5    用于生长平坦半极性氮化镓的技术
564   200910010921.5    一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
565   200910081093.4    一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法
566   200910057027.3    氮化镓系发光二极管的制造方法
567   200910057028.8    氮化镓二极管装置的缓冲层结构
568   200910057032.4    氮化镓发光二极管结构
569   200910131549.3    氮化镓系发光二极管及其制造方法
570   201010170914.4    高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法
571   201010180143.7    具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
572   200880117523.7    SOI上的氮化镓半导体器件及其制造工艺
573   200980101042.1    p型氮化镓基半导体的制作方法、氮化物基半导体器件的制作方法及外延晶片的制作方法
574   200910303939.4    提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法
575   201010157625.0    采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法
576   201010235850.1    一种氮化镓系发光二极管
577   201010259995.5    具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺
578   200910041030.6    氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法
579   201010259993.6    氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺
580   200910146757.0    覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法
581   201010251509.5    氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法
582   201010273167.7    一种薄膜氮化镓基发光二极管的制作方法
583   201010296115.1    一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
584   201010216451.0    提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法
585   201010251507.6    氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
586   201010251508.0    氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法
587   201010259994.0    高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法
588   201010231379.9    氮化镓类半导体激光二极管
589   201010273166.2    一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法
590   200910186563.3    具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法
591   201010251510.8    氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法
592   200980109974.0    氮化镓或氮化铝镓层的制造方法
593   201010292838.4    一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法
594   201010292909.0    一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法
595   200910194800.0    具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管
596   200910194802.X    具有低温中间层的氮化镓系发光二极管
597   201010194965.0    氮化镓衬底
598   200980120021.4    具有氮化镓基薄层半导体器件的LED元件
599   200910180388.7    具散热贯穿孔的氮化镓系发光二极管结构
600   200910174420.0    氮化镓系化合物半导体的制造方法
601   201010534588.0    高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
602   201010579996.8    一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法
603   201010541038.1    高质量氮化镓系发光二极管
604   201010571217.X    一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
605   201010530419.X    常态关闭的氮化镓场效应管
606   201010535704.0    带有改良型终止结构的氮化镓半导体器件
607   200910241546.5    氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法
608   201110119706.6    氮化镓单晶的制备方法
609   201010296036.0    一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线
610   201010296040.7    一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线
611   200980134876.2    大规模氨热制备氮化镓晶棒的方法
612   201010600790.9    一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统
613   201110033848.0    垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法
614   201110026761.0    一种高锌含量的氮化镓/氧化锌固溶体及其制备方法
615   201110008059.1    氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法
616   201010162263.4    一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法
617   200980148584.4    生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法
618   201110195591.9    一种氮化镓发光二极管的制作方法
619   201010241754.8    一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法
620   201010241753.3    一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制造方法
621   201110319304.0    具有点状分布N电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法
622   201080015436.8    具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管
623   201110260564.5    一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法
624   201110401457.X    用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法
625   201010297408.1    氮化镓基紫外光发光二极管及其制造方法
626   201110212956.4    具有氮化镓层的多层结构基板及其制法
627   201010517753.1    陶瓷衬底的氮化镓基芯片及制造方法
628   201010555747.5    一种氮化镓基LED外延层的生长方法
629   201010561133.8    一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法
630   201080038204.4    氮化镓系化合物半导体发光元件
631   201210075720.5    在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
632   201210003813.7    氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺
633   201010603961.3    氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法
634   201210057275.X    制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法
635   201210075703.1    利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
636   201210017954.4    具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管
637   201210056638.8    将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法
638   201210012559.7    一种氮化镓基激光器管芯的制备方法
639   201210012562.9    一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法
640   201080042886.6    用于基于氮化镓或其它氮化物的半导体装置的背侧应力补偿
641   201210017954.4    具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管
642   201210056638.8    将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法
643   201210012559.7    一种氮化镓基激光器管芯的制备方法
644   201210012562.9    一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法
645   201080042886.6    用于基于氮化镓或其它氮化物的半导体装置的背侧应力补偿
646   201080042887.0    用于半导体衬底上的大面积的基于氮化镓或其它氮化物的结构的应力补偿
647   201010593719.2    氮化镓晶体管的制作方法
648   201010606241.2    高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法
649   201210005625.8    电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
650   201210060166.3    氮化镓基LED芯片立式封装的方法
651   201210010844.5    氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法
652   201080042889.X    用于基于氮化镓或其它氮化物的功率装置的含有锗的低欧姆触点
653   201080036400.8    氮化镓系化合物半导体发光元件
654   201210067966.8    复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
655   201210110741.6    一种氮化镓基多结换能单元同位素电池
656   201110025728.6    氮化镓基板的制作方法
657   201210093601.2    纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
658   201210093603.1    大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法
659   201210071969.9    氮化镓功率晶体管三电平驱动方法
660   201180000029.4    氮化镓(GaN)自立基板的制造方法和制造装置
661   201080057499.X    用于固态照明装置的氮化镓晶片衬底以及相关联系统及方法
662   201210133129.0    一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结方法
663   201210079416.8    掺杂稀土元素的氮化镓粉体材料的制备方法及装置
664   201210142937.3    一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
665   201080053614.6    垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法
666   201210183838.X    一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
667   201210208853.5    制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法
668   201210172341.8    高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法
669   201210208501.X    利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法
670   201210206024.3    一种氮化镓基发光二极管
671   201210206025.8    一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
672   201210193466.9    一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法
673   201210178258.1    一种制造复合背势垒氮化镓异质结场效应管的方法
674   201110082400.8    一种高白光光效氮化镓LED管芯结构
675   201210216208.8    氮化镓半导体器件及其制造方法
676   201210235037.3    一种垂直氮化镓发光二极管及其制作方法
677   201180008490.4    用于制造氮化镓晶片的方法
678   201110110546.9    一种低应力的氮化镓外延层的制备方法
679   201210323282.X    氮化镓基材料及器件的制备系统和制备方法
680   201210277907.3    一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法
681   201110174926.9    一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法
682   201210351640.8    氮化镓基发光二极管
683   201210232810.0    一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
684   201210395722.2    具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管
685   201180023952.X    氮化镓结晶、13族氮化物结晶、结晶基板、以及它们的制造方法
686   201180020410.7    采用孤岛拓扑结构的高密度氮化镓器件
687   201210467084.0    铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
688   201210410794.X    一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法
689   201210388260.1    氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构
690   201210571719.1    一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法
691   201210517452.8    一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法
692   201310000142.3    一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
693   201310000143.8    一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
694   201310013703.3    蓝宝石衬底可自剥离的氮化镓薄膜制备用外延结构及方法
695   201310021186.4    基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法
696   201210424069.8    于氮化镓上制作氧化锌的方法与其应用
697   201310011273.1    一种半导体器件用氮化镓外延的制备方法
698   201210215829.4    电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法
699   201310024710.3    氮化镓基发光二极管及其制作方法
700   201210443131.8    用于氮化镓肖特基二极管的端接结构
701   201210443424.6    垂直氮化镓肖特基二极管
702   201310061428.2    一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法
703   201110364903.4    一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法
704   201310054863.2    具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
705   201310055261.9    氮化镓基增强耗尽型电平转换电路
706   201310048977.6    具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
707   201210007703.8    用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法
708   201310118495.3    一种氮化镓基LED外延片及其生产方法
709   201310119866.X    基于氮化镓生长半导体异质结构的方法
710   201310098145.5    氮化镓射频功率器件及其制备方法
711   201310127938.5    用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法
712   201310059764.3    氮化镓基板以及使用了该氮化镓基板的光设备
713   201280004925.2    氮化镓系半导体装置及半导体装置的制造方法
714   201280004449.4    氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法
715   201310054997.4    氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板
716   201310077499.1    氮化镓超结器件
717   201310246068.3    一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层
718   201310232613.3    一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法
719   200520051301.3    用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
720   200620040973.9    基于氮化镓铝的多波段紫外辐照度测量装置
721   200820065545.0    一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置
722   200920268828.X    氮化镓系发光二极体结构
723   200920060271.0    氮化镓基大功率芯片侧面出光结构
724   200920060270.6    氮化镓基大功率芯片散热结构
725   200920114676.8    一种氮化镓高电子迁移率晶体管
726   201020198245.7    一种新型氮化镓基发光二极管
727   201020148176.9    具有凸起结构的氮化镓基高亮度发光二极管
728   201020199427.6    一种外延层具有连续孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管
729   200920190766.5    一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管
730   201020184791.5    硅基单结氮化镓铟太阳能电池
731   201020197037.5    具有低温中间层的氮化镓系发光二极管
732   201020198233.4    一种氮化镓系发光二极管
733   201020148167.X    侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管
734   201020520589.5    具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管
735   201020547257.6    一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线
736   201020621548.5    一种氮化镓高电子迁移率晶体管
737   201120105333.2    一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线
738   201220110590.X    自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线
739   201220342938.8    一种氮化镓基器件中继器
740   201220398109.1    增强电极附着力的氮化镓基发光二极管
741   201220524474.2    氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构
742   201220590697.9    适用于氮化镓有机金属气相沉积设备内的尾气处理装置

推广期间全套专利技术光盘仅售380元

专利录入:jnxhcy    责任编辑:jnxhcy 
  • 上一条专利:

  • 下一条专利:
  • 发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口
    最新热点 最新推荐 相关专利
    没有相关专利
      网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)