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B2351、真空沉积工艺配方专利技术专辑(含原料配比)(最新版)
作者:jnxhcy 来源:本站原创 点击:9592 更新:2013-5-31 10:29:00

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[1、]  用于真空沉积有机电致发光器件薄膜的张力掩模组件
[技术摘要]一种用于真空沉积有机电致发光器件薄膜的掩模框组件。这种掩模框组件包括具有开口的模框和至少两个单元掩模,每个单元掩模有至少一个单元掩模方向上的单元掩模图案部分和两个在张力下固定到模框上的边缘。

[2、]  变折射率薄膜的单源真空沉积法
[技术摘要] 本发明属于薄膜的制备方法.目前,关于变折射率材料(光纤、成像元件、光波导等)的制造方法较多,大多纯属化学法.真空蒸发法及溅射法又只能得到均匀折射率薄膜.本发明是采用单个电子束蒸发源,实行真空蒸发,在基底上获得变折射率薄膜,是一种物理法.此法获得变折射率膜的关键是膜料的选配工艺和采用电子束定域加热.此法与化学法相比,在制备工艺上具有较大的自由度的优点.

[3、]  用于真空沉积镀层的方法和装置
[技术摘要] 一种用于真空沉积镀层的方法和装置,包括使用一种真空沉积镀层装置.该装置具有:分别设在真空沉积镀层室前面和后面的两个真空密封装置及两个不活泼气体置换室,用于将不活泼气体从两个真空密封装置的真空室循环到二者的大气压力室;及用于从不活泼气体中分离出水,油和氧的不活泼气体循环/纯化装置.上述方法和装置的特点为:分别将纯化后不活泼气体中氧和氢的浓度调整为60ppm或更少和0.220%,将不活泼气体的****调整为50℃或更低.

[4、]  利用连续在线真空沉积工序平坦化导通孔的接触区域的系统及方法
[技术摘要]本发明公开一种多层式电子器件,包括:绝缘基板(212);气相沉积的第一导体层(312),其位于所述绝缘基板(212)上;气相沉积的第一绝缘层(314),其位于所述第一导体层(312)上,所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316);以及气相沉积的导电填充剂(320),其位于所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中。优选的是,所述导电填充剂(320)沉积在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中,使得所述导电填充剂(320)的与所述第一导体层(312)相对的表面相对于所述第一绝缘层(314)的与所述第一导体层(312)相对的表面基本上共面。

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